2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物的合成及发光性能研究

• 作者: 刘旭光 孙春燕 陈柳青 陶鹏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 8-羟基喹啉 光电特性 光学带隙
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 540-543
• 页数: 4页
• 分类号: O626.32
• 字数: 2655字
• 语种: 中文

摘要

合成了2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物(Ga(mhq)3),通过红外光谱、氢核磁谱确认其结构,进一步通过紫外-可见吸收光谱、循环伏安曲线、荧光发射光谱和电致发光光谱表征了其光学带隙及发光性质.实验结果表明Ga(mhq)3紫外吸收峰在259和365nm处,由紫外吸收得到光学带隙为3.10eV.在四氢呋喃溶液中,416nm激发下,荧光发射峰在496nm,为蓝绿色荧光；在360nm波长的激发下,Ga(mhq)3粉末发射峰在472nm处,属蓝绿光发射.将其做成器件A:ITO/NPB(50nm)/Ga (mhq)3 (30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),得到最大亮度为901.5cd/m2,最大发射波长为508nm.加入电子传输层Alq3对器件A进行优化后,最大亮度达到4339cd/m2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙春燕	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	刘旭光	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	118	1048	18.0	26.0
9	陶鹏	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0