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摘要:
硅光电倍增器件(SiPM)是近年来逐渐兴起的一种用于PET(Positron Emission Tomography)的光电探测器件.与传统的光电倍增管(PMT)相比,它有着尺寸小、工作电压低、对磁场不敏感等优点,但其缺点是增益对环境温度敏感.在PET探测器的研发中,为了改善温度变化引起的增益漂移,设计了一个SiPM的增益校正系统.该系统通过测量环境温度对SiPM的偏置电压实时调节,从而保证其增益的相对稳定.最后对该系统对温度变化引起的SiPM增益漂移的抑制能力做了定量评估.采用增益校正系统后,在相似的温度变化范围内,SiPM的最大增益漂移由校正前的79.67%减小到11.03%.该结果显示此系统对温度变化引起的SiPM增益漂移具有良好的抑制能力.该系统能够补偿因温度变化引起的SiPM增益漂移,从而提高基于SiPM阵列探测器模块的PET系统的稳定性.
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文献信息
篇名 硅光电倍增器件(SiPM)的自动增益校正
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 医学
关键词 硅光电倍增器件 增益漂移校正 精密电压控制
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-7
页数 4页 分类号 R197.39
字数 1898字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王石 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 26 87 5.0 7.0
2 刘亚强 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 29 92 5.0 7.0
3 马天予 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 18 54 4.0 6.0
4 许天鹏 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 2 9 1.0 2.0
5 范鹏 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 1 9 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅光电倍增器件
增益漂移校正
精密电压控制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
总下载数(次)
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