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A high-voltage SOI MOSFET with a compensation layer on the trenched buried oxide layer
A high-voltage SOI MOSFET with a compensation layer on the trenched buried oxide layer
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摘要：
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关键词热度
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文献信息
| 篇名 | A high-voltage SOI MOSFET with a compensation layer on the trenched buried oxide layer | ||
| 来源期刊 | 半导体学报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2013,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 31-34 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1088/1674-4926/34/3/034003 | ||
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半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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