400 nm高性能紫光LED的制作与表征

• 作者: 夏晓川 宋世巍 张克雄 杨德超 柳阳 梁红伟 王东盛 申人升 郭文平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 紫光发光二极管 GaN发光二极管 电子阻挡层 超晶格
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 225-229
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133402.0225

摘要

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管.制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9％的p-AlGaN电子阻挡层；Al摩尔分数为11％的p-AlGaN电子阻挡层；Al摩尔分数为20％的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层.带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED.带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW.此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布.