氮气气氛下MgAl2O4/SiC材料的反应性能研究

• 作者: 吉秀梅 涂军波 艾丽 高春辉 魏军从 黄建坤
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: MgAl2O4-SiC材料 氮气气氛 氮化硅 生长机制
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1602-1605,1613
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2328字
• 语种: 中文

摘要

为了研究氮气气氛下MgAl2O4/SiC材料的反应性能及硅粉的影响,将添加硅粉前后的MgAl2O4-SiC材料在流动氮气中经1600℃保温3h烧成,对烧结后的试样进行XRD、SEM和EDS分析.研究发现:两者材料的主要物相均为镁铝尖晶石、碳化硅、氮化硅.不添加硅粉的试样中生成的氮化硅呈长径比较大的纤维状,其生长过程符合VS生长机制；添加硅粉后的试样中生成的氮化硅根部呈柱状,顶部呈锥状,其生长是LS和VS生长机制共同作用的结果.另外,氮化烧成时MgAl2O4/SiC反应界面层中会发生离子互扩散,可能生成少量堇青石,并且C4-、Al3+、Mg2+较O2-、Si4+具有更大的扩散速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏军从	河北联合大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	19	42	4.0	6.0
2	高春辉	河北联合大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	3	11	1.0	3.0
3	黄建坤	河北联合大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	4	19	2.0	4.0
4	吉秀梅	河北联合大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	艾丽	河北联合大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	1	1	1.0	1.0