吸收层成份比例对CIGS太阳电池性能的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CIGS薄膜 太阳电池 成份比例 二极管特性
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 1741-1745
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2415字
• 语种: 中文

摘要

本文利用传统的共蒸发三步法制备了CIGS薄膜及电池器件,通过X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)、Hall测试仪、太阳光模拟器I-V曲线测试等方法,研究了Cu和Ga元素比例的不同对电池二极管特性及效率的影响,获得了Cu/(In+ Ga)比值为0.89～0.93、Ga/(In+ Ga)比值为0.29～ 0.33是制备高效电池的理想范围的结论,并分析了偏离理想成份范围的电池性能下降的原因.最后通过工艺优化,制备出理想成份范围内的高质量CIGS薄膜,获得了15.27％的高转换效率电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	33	390	11.0	19.0
2	何青	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	40	365	11.0	18.0
3	刘芳芳	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	19	224	7.0	14.0