PECVD非晶硅薄膜沉积三维热流场数值模拟

• 作者: 李桂琴 王成刚 金国军 陆利新
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅薄膜 数字模拟 沉积速率 PECVD
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1021-1027
• 页数: 7页
• 分类号: TB43
• 字数: 3504字
• 语种: 中文

摘要

根据沉积非晶硅薄膜的实际PECVD反应室结构建立其几何模型,并在考虑反应室中表面化学反应的条件下建立三维热流场数值分析模型.据此对非晶硅沉积过程进行模拟,得到薄膜沉积过程中化学组分的分布情况以及薄膜的平均沉积速率.通过正交试验法对非晶硅薄膜沉积的工艺参数进行数值模拟分析,得出影响沉积速率的工艺参数的主次顺序；并经过实验验证,模拟结果与实验结果具有一致性.数值模拟可加深对工艺过程的理解,为合理确定PECVD工艺参数提供理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆利新	上海大学上海市机械自动化与机器人重点实验室	11	34	3.0	5.0
2	李桂琴	上海大学上海市机械自动化与机器人重点实验室	20	104	5.0	9.0
3	金国军	上海大学上海市机械自动化与机器人重点实验室	2	14	2.0	2.0
4	王成刚	上海大学上海市机械自动化与机器人重点实验室	5	21	3.0	4.0