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基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计
基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计
作者:
何善亮
杨洪强
田浩
马骁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单粒子效应
辐照加固
双互锁存储单元
触发器
摘要:
基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主一从型抗辐照触发器.通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制,使单个存储节点具有抗单粒子翻转的能力.采用多种改进设计,增强抗单粒子瞬态脉冲(single event transient,SET)的能力,并且降低了电路功耗.通过Spectre仿真,测试了触发器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,确定了版图设计规则.采用新颖的3倍高度的版图布置及环栅NMOS结构,消除了总剂量效应;采用双保护环,降低了单粒子闩锁效应;最终完成了全方位抗辐照的触发器电路设计.
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触发器
内容分析
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相关学者/机构
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文献信息
篇名
基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计
来源期刊
微电子学
学科
工学
关键词
单粒子效应
辐照加固
双互锁存储单元
触发器
年,卷(期)
2013,(1)
所属期刊栏目
电路与系统设计
研究方向
页码范围
65-69
页数
5页
分类号
TN432
字数
2904字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨洪强
7
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3.0
5.0
2
田浩
3
15
2.0
3.0
3
何善亮
2
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马骁
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
辐照加固
双互锁存储单元
触发器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
主办单位:
四川固体电路研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号24所
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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