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文献信息
篇名 A comb-gate silicon tunneling field effect transistor with improved on-state current
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 场效应晶体管 电流效率 隧道 硅化 肖特基势垒 梳形 电流比 数量级
年,卷(期) zgkx_2013,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 126-131
页数 6页 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
场效应晶体管
电流效率
隧道
硅化
肖特基势垒
梳形
电流比
数量级
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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