高压提升机变频器中旁路使用可控硅问题的分析

• 作者: 周加胜 尹彭飞 郭培彬 陈敏
• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 高压提升机变频器 旁路 可控硅 分析
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN34

摘要

本文对高压提升机变频器在回馈状态下断电试验中，当回馈量较大时可控硅损坏现象进行了分析，并给出了解决办法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭培彬		16	1	1.0	1.0
2	周加胜		28	9	2.0	3.0
3	尹彭飞		10	0	0.0	0.0
4	陈敏		2	0	0.0	0.0