不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响

• 作者: 孙子茭 张国俊 戴丽萍 王姝娅 钟志亲
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 欧姆接触 快速热退火 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 419-422
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1968字
• 语种: 中文

摘要

采用高真空电子束蒸发法制作了基于4 H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni.常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4 H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理.对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875℃退火温度下欧姆接触特性最好,400℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	戴丽萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	54	5.0	6.0
3	钟志亲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	38	4.0	5.0
4	王姝娅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	45	4.0	6.0
5	孙子茭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0