非晶硅薄膜的镍离子注入研究

• 作者: 刘卫国 周顺 李军利 蔡长龙
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅薄膜 离子注入 电学性质
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 98-100
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文

摘要

为得到具有器件应用价值的非晶硅薄膜,首先采用等离子体增强化学气相沉积系统获得非晶硅薄膜,之后用离子注入设备对该薄膜进行镍离子注入掺杂.用椭偏仪测试薄膜厚度,得知非晶硅薄膜厚度为200nm,且沉积工艺稳定.X射线衍射仪测试表明,所沉积的薄膜属于完全非晶态.用四探针薄膜电阻测试设备测试非晶硅薄膜的方块电阻,结果表明,当掺杂浓度为2.5×1019个/cm3,离子注入能量为35.2 keV时,掺杂后的非晶硅薄膜具有较好电学性质,TCR约为-0.7％,室温下的方块电阻为992 kΩ/□.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安工业大学微光电系统研究所	112	575	12.0	17.0
2	蔡长龙	西安工业大学微光电系统研究所	82	319	8.0	14.0
3	周顺	西安工业大学微光电系统研究所	32	113	6.0	8.0
4	李军利	西安工业大学微光电系统研究所	1	0	0.0	0.0