偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶

• 作者: 张志欣 洪颖 王利杰 王香泉 郝建民 齐海涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 物理气相传输法(PVT) 碳化硅籽晶 偏晶向 形貌分析
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 469-473
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.014

摘要

采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320 μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32 μm/h.AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征.裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶对热应力的吸收作用有关.未发现明显的穿线缺陷.发现AlN-SiC界面存在双角锥空腔,其起因是生长初期界面处未被AlN完全密实覆盖的微小区域,在生长过程中因内部温差不断发生的升华和凝华的自我调制过程.喇曼光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性较好,(0002)面X射线摇摆曲线半高宽为76 arcsec,喇曼光谱E1 (TO)模的半高宽为7.5 cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
3	王香泉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	24	2.0	4.0
4	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
5	王利杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	30	3.0	5.0
6	张志欣	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	13	1.0	2.0