石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响

• 作者: 季尚司 左然 苏文佳 韩江山
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铸造多晶硅 杂质传输 Si3N4涂层 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 2177-2182
• 页数: 6页
• 分类号: O731
• 字数: 2885字
• 语种: 中文

摘要

铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	苏文佳	江苏大学能源与动力工程学院	22	212	8.0	14.0
3	季尚司	江苏大学能源与动力工程学院	3	16	2.0	3.0
4	韩江山	江苏大学能源与动力工程学院	4	18	2.0	4.0