Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算*

• 作者: 柳福提 程晓洪 程艳 羊富彬 陈向荣
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 密度泛函理论 非平衡格林函数 Si4团簇 电子输运
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 页码范围: 55-59
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.140504

摘要

采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Si4团簇与Au(100)电极空位相连的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算，得到了纳米结点在不同距离下的几何结构、电子结构、电导、透射谱、电荷转移量；讨论了当距离dz=12.004?A时纳米结点的电导、电流随电压的变化关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程艳	四川大学物理科学与技术学院	27	110	7.0	9.0
2	柳福提	宜宾学院物理与电子工程学院	61	100	5.0	7.0
4	程晓洪	宜宾学院物理与电子工程学院	49	90	4.0	7.0
5	陈向荣	四川大学物理科学与技术学院	21	103	6.0	9.0
8	羊富彬	四川大学物理科学与技术学院	3	21	2.0	3.0