HVPE反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响

• 作者: 刘鹏 左然 师珺草 张国义 童玉珍 赖晓慧
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HVPE GaN 环形进口 反应器设计 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 797-802
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 字数: 3429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133406.0797

摘要

利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究.分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量.结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善.8环进口时,衬底上方温度分布最均匀；4环进口时,衬底上方的GaC1浓度较高,但均匀性最差,V/Ⅲ比也较低；8环及12环进口可得到均匀的GaCl浓度分布及较高的V/Ⅲ比.在包括输运和GaN生长的模型中,尽管8环进口反应器衬底上方的GaCl浓度低于12环进口反应器,却因其较薄的边界层厚度而导致较高的生长速率,并且生长均匀性较高.因此,8环进口反应室更有利于GaN的HVPE生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鹏	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	154	1275	17.0	33.0
2	张国义	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	16	63	5.0	7.0
4	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
5	赖晓慧	江苏大学能源与动力工程学院	2	2	1.0	1.0
6	师珺草	江苏大学能源与动力工程学院	3	2	1.0	1.0