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基于Nandflash阵列的高速存储技术
基于Nandflash阵列的高速存储技术
作者:
张峰*
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
合成孔径雷达
CCD相机
高速存储
Nandflash阵列
CPCIE总线
摘要:
介绍了传统高速存储的实现方式,分析了用Nandflash实现海量存储的优点,实现了基于Nandflash阵列的实时高速存储模块.存储模块采用光纤FC作为数据输入端,在FPGA控制下实时存储到Nandflash阵列中,并将存储的数据通过CPCIE总线下传给其他模块作实时或事后分析、判读、处理、回放.实验结果表明,基于Nandflash的存储阵列,存储速度可达到900 MB/s以上,满足高分辨率高帧频CCD相机及SAR成像存储需求.
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篇名
基于Nandflash阵列的高速存储技术
来源期刊
电讯技术
学科
工学
关键词
合成孔径雷达
CCD相机
高速存储
Nandflash阵列
CPCIE总线
年,卷(期)
2013,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
68-71
页数
分类号
TN911.73
字数
2347字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-893x.2013.01.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张峰*
1
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传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
合成孔径雷达
CCD相机
高速存储
Nandflash阵列
CPCIE总线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电讯技术
主办单位:
中国西南电子技术研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-893X
CN:
51-1267/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市营康西路85号
邮发代号:
62-39
创刊时间:
1958
语种:
chi
出版文献量(篇)
5911
总下载数(次)
21
总被引数(次)
28744
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