点缺陷对γ-TiAl (100)表面O原子吸附和扩散影响的第一性原理研究

• 作者: 周立颖 王福合
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: γ-TiAl (100)表面 Si掺杂 W掺杂 空位 O的扩散
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 1387-1391
• 页数: 5页
• 分类号: TG111.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00408

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了γ-TiAl (100)表面附近空位、Si和W掺杂的形成能,以及它们对O原子在该表面附近吸附和扩散的影响.计算结果表明,在掺杂体系中,Si原子更容易替代表面第1层Al原子的位置,而W原子更容易替代表面第2层Ti原子的位置,且2者均使其近邻吸附O原子的吸附能升高.因此,Si更容易偏析在表面第1层上,而W更容易偏析在表面第2层上,且抑制了O原子在γ-TiAl (100)表面的吸附.在空位缺陷体系中,表面第1层Ti原子空位比Al原子空位更易形成.在干净表面、Ti空位表面、Si掺杂和W掺杂表面体系中,O原子从表面上到表面下第2层扩散的能垒分别为1.98,1.34,2.53和2.69 eV,相对于干净表面,Ti空位缺陷的形成使得O原子在γ-TiAl (100)表面附近的扩散更加容易,而Si和W掺杂使得O原子在γ-TiAl(100)表面上的扩散更加困难.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王福合		33	118	6.0	9.0
2	周立颖		1	0	0.0	0.0