基于CMOS工艺的高Q值集成电感设计

• 作者: 林艳丽 裴晓敏
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电感 品质因数 差分对称 渐变线宽 图案接地屏蔽
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 107-110,114
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2970字
• 语种: 中文

摘要

采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分对称结构集成来提高片上电感性能的设计方案.此方案能与标准硅基CMOS工艺兼容.仿真结果表明,该方案能有效提高集成电感的Q值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴晓敏	襄樊学院物电学院	3	5	2.0	2.0
2	林艳丽		2	4	1.0	2.0