基于第一性原理计算的ZrO2材料的掺杂阻变特性

• 作者: 周星 王建军 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变式随机存储器(RRAM) 掺杂 导电细丝 相互作用能 氧空位
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 760-764
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.10.008

摘要

阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点.基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素.采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量.Al(富余)掺杂下,氧空位之间的相互作用能成负值,相互吸引抱团形成导电细丝,阻变特性明显改善,氧空位主导细丝形成.这与相关的实验结果是一致的.Ag掺杂下,Ag的金属性强,氧空位之间相互作用能全为正值,相互排斥.通过模拟观察,Ag主导了细丝形成,并改善了ZrO2材料的阻变特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子信息工程学院	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学电子信息工程学院	28	89	6.0	8.0
3	周星	安徽大学电子信息工程学院	2	3	1.0	1.0
4	王建军	安徽大学电子信息工程学院	4	3	1.0	1.0