金属基底上氧化物缓冲层的外延生长及表面形貌研究

• 作者: 刘志勇 李敏娟 范峰 蔡传兵 赵荣 邱文彬 鲁玉明
• 来源期刊: 低温与超导
• 关键词: 直流反应溅射 双轴织构 涂层导体 缓冲层
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 字数: 3745字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5％W基底上快速沉积了Y2 O3种子层,随后外延生长GdxZrl-xOy(x=0.5,0.1)和YSZ三种阻挡层.研究表明,Y2 O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密,其中GSZ(x=0.5)具有最好的面内织构和表面形貌,面内半高宽(FWHM)5.8°,均方根粗糙度(RMS) 1.6 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡传兵	上海大学超导及应用技术研究中心	34	94	5.0	9.0
2	刘志勇	上海大学超导及应用技术研究中心	25	75	3.0	8.0
3	鲁玉明	上海大学超导及应用技术研究中心	27	88	4.0	9.0
4	赵荣	上海大学超导及应用技术研究中心	3	19	1.0	3.0
5	邱文彬	上海大学超导及应用技术研究中心	3	0	0.0	0.0
6	范峰	上海大学超导及应用技术研究中心	9	14	2.0	3.0
7	李敏娟	上海大学超导及应用技术研究中心	4	0	0.0	0.0