密度泛函理论研究SiC与C2H4反应的产物通道

• 作者: 岳呈阳 武卫荣
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 关键词: SiC 密度泛函理论 反应机理 乙烯
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 745-752
• 页数: 8页
• 语种: 中文

摘要

在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上研究了SiC与乙烯的单重态和三重态反应机理,优化得到了反应物、过渡态、中间体和产物的几何构型;通过振动分析对过渡态和中间体构型进行了确认.在CCSD(T)/cc-pVTZ水平上对计算得到的构型进行了能量校正.计算结果表明,SiC+ C2H4反应在单重态和三重态条件下均可发生,其中单重态反应为主反应通道,1 P5为主产物.