MgB2超导材料掺杂研究进展

• 作者: 付尧 吴燕平 张松 邓朝勇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: MgB2 临界电流密度 上临界场 SiC掺杂 有机物掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TM26|TH142.8
• 字数: 5979字
• 语种: 中文

摘要

元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义.介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓朝勇	贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室	62	194	9.0	12.0
2	吴燕平	贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室	3	3	1.0	1.0
3	张松	贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室	13	7	2.0	2.0
4	付尧	贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室	4	4	1.0	2.0