碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析

• 作者: 武红磊 郑瑞生 闫征
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 第一性原理 共掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 1468-1471
• 页数: 4页
• 分类号: O471
• 字数: 2447字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理.在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低；当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度.分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫征		2	4	1.0	2.0
2	武红磊		2	4	1.0	2.0
3	郑瑞生		2	4	1.0	2.0