极低频电磁场与铝联合应用对小鼠学习记忆行为的影响

• 作者: 刘新 谢静 贾庶捷
• 来源期刊: 军事医学
• 学科: 物理学
• 关键词: 极低频电磁场 铝负荷 学习 记忆 氧化应激
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 246-249,258
• 页数: 5页
• 分类号: O441.4
• 字数: 4508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7644/j.issn.1674-9960.2013.04.002

摘要

目的 观察极低频电磁场(ELF-MF)与铝负荷对学习记忆行为的影响,并初步探讨其可能机制.方法 64只雄性SPF级昆明小鼠每天接受50 Hz、2 mT ELF-MF暴露和(或)灌胃给予葡萄糖酸铝(200 mg Al3+/kg),一周6 d,共8周.8周后取大脑组织做HE染色观察小鼠脑组织病理形态变化;Morris水迷宫检测小鼠的学习记忆行为;生化方法检测小鼠大脑组织及血清中SOD活性和MDA含量.结果 ELF-MF暴露与铝负荷单独或联合暴露后小鼠的逃避潜伏期明显增长,在目标象限的停留时间比明显减少,各组与对照组相比均有显著性差异,而组间比较无显著性变化.病理切片结果显示,ELF-MF组、铝负荷组和ELF-MF+铝负荷组大脑皮质和海马区神经细胞和椎体细胞数目都出现减少,排列紊乱.通过氧化应激指标检测发现,二者均可致脑组织与血清中SOD活性明显降低以及MDA含量明显升高.结论 ELF-MF暴露与铝负荷单独或联合暴露均能够导致小鼠学习记忆障碍,其机制可能与氧化应激有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新	重庆医科大学药学院生药学教研室	80	537	14.0	19.0
2	谢静	重庆医科大学药学院生药学教研室	6	22	3.0	4.0
3	贾庶捷	重庆医科大学药学院生药学教研室	2	5	1.0	2.0