MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响

• 作者: 周小伟 李培咸 杨扬 贾文博
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 脉冲生长 太阳能电池 MOCVD
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 995字
• 语种: 中文

摘要

通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高.但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量.但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨扬	西安电子科技大学技术物理学院	12	44	3.0	6.0
2	李培咸	西安电子科技大学技术物理学院	36	324	10.0	17.0
3	周小伟	西安电子科技大学技术物理学院	8	31	3.0	5.0
4	贾文博	西安电子科技大学技术物理学院	2	3	1.0	1.0