GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计

• 作者: 吴海峰 罗向东 翟宪振
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外探测 读出电路 线性模式 雪崩二极管
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 656-661
• 页数: 6页
• 分类号: TN23
• 字数: 4300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.05.017

摘要

基于GaN基APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC).考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路.在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80 V,当积分电容为4 pF,积分时间为25 μs,时钟频率为100 kHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6× 107个,输出电压摆幅在0～2.25 V,读出电路的输出电压线性度不低于99％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗向东	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	38	119	7.0	9.0
2	翟宪振	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	3	3	1.0	1.0
3	吴海峰	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	3	5	2.0	2.0