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摘要:
基于光波导理论和传输矩阵法,研究光纤包层被完全腐蚀后的高斯变迹光纤布拉格光栅(FBG)在非均匀外部介质环境下的反射谱特性.仿真过程中,分别考虑高折射率区(1.43~1.45)和低折射率区(1.33~1.36)两种情况,同时假设该非均匀外部介质折射率(SRI)呈不同的线性函数分布.仿真结果表明,高斯变迹FBG的谱带宽、谱强度特性与SRI沿光栅轴向的线性分布梯度密切相关.随着SRI梯度增加,反射谱的3 dB带宽也逐渐增加,此时高、低折射率区的梯度灵敏度分别为3.775×103 nm·mm/riu和3.72×103 nm·mm/riu.研究结果对高斯变迹FBG用于生化传感领域的非均匀介质测量具有一定意义.
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文献信息
篇名 高斯变迹FBG在非均匀介质下的数值响应特性研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 传输矩阵法 高斯变迹FBG 外部介质折射率 折射率梯度传感器
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 25-29
页数 分类号 TP212.14
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵明富 重庆理工大学电子信息与自动化学院 79 304 9.0 12.0
2 罗彬彬 重庆理工大学电子信息与自动化学院 36 151 6.0 10.0
3 曹李华 重庆理工大学电子信息与自动化学院 5 40 4.0 5.0
4 汪颖 重庆理工大学电子信息与自动化学院 2 11 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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传输矩阵法
高斯变迹FBG
外部介质折射率
折射率梯度传感器
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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