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高斯变迹FBG在非均匀介质下的数值响应特性研究
高斯变迹FBG在非均匀介质下的数值响应特性研究
作者:
曹李华
汪颖
罗彬彬
赵明富
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
传输矩阵法
高斯变迹FBG
外部介质折射率
折射率梯度传感器
摘要:
基于光波导理论和传输矩阵法,研究光纤包层被完全腐蚀后的高斯变迹光纤布拉格光栅(FBG)在非均匀外部介质环境下的反射谱特性.仿真过程中,分别考虑高折射率区(1.43~1.45)和低折射率区(1.33~1.36)两种情况,同时假设该非均匀外部介质折射率(SRI)呈不同的线性函数分布.仿真结果表明,高斯变迹FBG的谱带宽、谱强度特性与SRI沿光栅轴向的线性分布梯度密切相关.随着SRI梯度增加,反射谱的3 dB带宽也逐渐增加,此时高、低折射率区的梯度灵敏度分别为3.775×103 nm·mm/riu和3.72×103 nm·mm/riu.研究结果对高斯变迹FBG用于生化传感领域的非均匀介质测量具有一定意义.
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篇名
高斯变迹FBG在非均匀介质下的数值响应特性研究
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
传输矩阵法
高斯变迹FBG
外部介质折射率
折射率梯度传感器
年,卷(期)
2013,(1)
所属期刊栏目
光电器件
研究方向
页码范围
25-29
页数
分类号
TP212.14
字数
语种
中文
DOI
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1
赵明富
重庆理工大学电子信息与自动化学院
79
304
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12.0
2
罗彬彬
重庆理工大学电子信息与自动化学院
36
151
6.0
10.0
3
曹李华
重庆理工大学电子信息与自动化学院
5
40
4.0
5.0
4
汪颖
重庆理工大学电子信息与自动化学院
2
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高斯变迹FBG
外部介质折射率
折射率梯度传感器
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期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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