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摘要:
获得高品质、低成本的直拉单晶硅是太阳能发电技术大面积推广应用的关键基础之一.本文采用有限元ANSYS软件模拟直拉单晶硅中液口距(导流筒下沿与液面距离,DSM)和器盖距(导流筒伸入加热器的距离,DSH)对单晶炉内气体流场和热场分布的影响.结果表明,随液口距的减小,气流对熔体液面上方的吹拂能力逐渐加强,有利于SiO的挥发;当液口距小于15 mm时,气流对熔体液面产生了扰动,不利于氧含量的降低.随器盖距的增加,一方面,熔体内轴向温度梯度逐渐减小,降低了坩埚底部的温度;另一方面,坩埚侧壁的温度也逐渐降低,特别是坩埚侧壁与坩埚底部结合处温度的降低,可以减少融入熔体中的氧.最终,将数值模拟的结果应用至拉晶生产中,获得了氧含量为1.10×1018 atoms/cm3的大直径(200 mm)太阳能级单晶硅,并使单炉拉晶时间比未优化前缩短了12.7 h.
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文献信息
篇名 导流筒对200 mm直拉单晶硅氧含量的影响研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 物理学
关键词 CZ单晶硅 氧含量 气体流场 温度梯度
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目 试验与技术
研究方向 页码范围 1921-1926
页数 6页 分类号 O78
字数 3133字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李进 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室 40 206 7.0 13.0
2 高忙忙 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室 21 37 4.0 4.0
3 杨翠 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室 2 6 1.0 2.0
4 张洪岩 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室 2 6 1.0 2.0
5 庞骏敏 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室 2 5 1.0 2.0
6 周锐 1 5 1.0 1.0
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硅酸盐通报
月刊
1001-1625
11-5440/TQ
16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
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8598
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10
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