65 nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响

• 作者: 张民选 李鹏 赵振宇 郑超
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷共享 脉冲削减 双极放大 电路级模拟
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 33-38
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

利用电路级模拟方法,在65 nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增强;反之,则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张民选	国防科学技术大学计算机学院	63	351	9.0	16.0
2	李鹏	国防科学技术大学计算机学院	9	53	4.0	7.0
3	赵振宇	国防科学技术大学计算机学院	7	23	3.0	4.0
4	郑超	国防科学技术大学计算机学院	1	2	1.0	1.0