InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计

• 作者: 周仕忠 李国强 郝锐 马学进 马昆旺
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 绿光LED p型GaN 外延生长 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 20-24
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降.由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响.论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响.研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率.论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国强	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	22	104	4.0	9.0
2	周仕忠	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	4	21	2.0	4.0
3	郝锐	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	马学进		1	1	1.0	1.0
8	马昆旺		1	1	1.0	1.0