电流密度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响

• 作者: 卢磊 潘庆松 金帅
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu 直流电解沉积 电流密度 纳米孪晶 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 635-640
• 页数: 6页
• 分类号: TG146
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00017

摘要

采用直流电解沉积技术,制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品.样品由微米级柱状晶粒构成,晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面.研究发现,电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响,但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm2增加到30 mA/cm2,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1 μm减小到4.2 μm,孪晶片层厚度为30-50 nm.其原因是随电流密度的增加,阴极的过电位增大,从而使晶粒细化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢磊	中国科学院金属研究所	24	515	10.0	22.0
2	金帅	中国科学院金属研究所	3	0	0.0	0.0
3	潘庆松	中国科学院金属研究所	2	0	0.0	0.0