溅射功率对ZnO∶Si透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 万云芳 冯祝
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 ZnO∶Si薄膜 光电特性
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 2080-2086
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 6192字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌(ZnO∶ Si)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO∶ Si薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响.结果表明,溅射功率对ZnO∶ Si薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大.实验制备的ZnO∶Si薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基片方向的c轴择优取向.当溅射功率从45 W增加到105 W时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;当溅射功率为105 W时,薄膜的电阻率达到最小值3.83×10-4 Ω·cm,其可见光透过率为94.41％.实验制备的ZnO∶ Si薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万云芳	山东理工大学理学院	15	77	5.0	8.0
2	冯祝	山东理工大学理学院	7	23	4.0	4.0