多微通道内存系统设计方法

• 作者: 张广飞 王焕东 陈新科 陈李维 黄帅
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: DRAM系统 内存控制器 片上多核 多通道 访存特性
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 685-693
• 页数: 9页
• 字数: 6660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2013.07.004

摘要

通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法.用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟.该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性.将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响.实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8％,访存延迟和功耗分别降低14.4％和26.2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王焕东	中国科学院计算机系统结构重点实验室	4	68	1.0	4.0
2	黄帅	中国科学院计算机系统结构重点实验室	4	24	3.0	4.0
3	张广飞	中国科学院计算机系统结构重点实验室	2	3	1.0	1.0
12	陈新科	中国科学院计算机系统结构重点实验室	2	2	1.0	1.0