GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展

• 作者: 毋志民 王爱玲 王聪 赵若禺
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基稀磁半导体 LiZnAs基新型稀磁半导体 居里温度 晶体结构
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 113-118
• 页数: 6页
• 分类号: TB34|O472|O411.3
• 字数: 4995字
• 语种: 中文

摘要

综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法.从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毋志民	重庆师范大学物理与电子工程学院	19	65	5.0	7.0
3	王爱玲	重庆师范大学物理与电子工程学院	4	26	3.0	4.0
5	王聪	重庆师范大学物理与电子工程学院	8	15	2.0	3.0
6	赵若禺	重庆师范大学物理与电子工程学院	6	29	3.0	5.0