散射大厅内中子导管屏蔽计算

• 作者: 孙勇 曹超 霍合勇
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子导管 McStas MCNP 屏蔽计算
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 290-294
• 页数: 5页
• 分类号: O571.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.02.0290

摘要

中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅,为保证大厅工作人员的安全,提供低本底实验环境,必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽.在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下,联合McStas、MCNP,采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算,得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率,验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性,为进一步开展工程设计提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍合勇	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	25	44	4.0	5.0
2	孙勇	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	11	10	2.0	2.0
3	曹超	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	10	5	2.0	2.0