电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压

• 作者: 刘雷 尚开 张振中 张立功 徐海洋 李炳辉 王双鹏 申德振 赵东旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 692-697
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133406.0692

摘要

对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究.样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长.激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高.非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV.