DICE加固结构触发器的重离子实验研究

• 作者: 于宗光 张筱颖 田海燕
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐照电路设计 DICE触发器 重粒子实验 单粒子效应 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及材料
• 页码范围: 594-599
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 3655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.05.003

摘要

基于o.18μφ工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响.对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV· cm2/mg.