退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响

• 作者: 乐伶聪 何晓光 刘宗顺 吴亮亮 李亮 李晓静 杨静 江德生 赵德刚 陈平
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: p-GaN 欧姆接触 圆形传输线模型 快速热退火
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 396-400
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.206801

摘要

研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明，较适宜的退火温度为500?C左右，退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大；较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛，且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著.经过对退火条件的优化，得到的比接触电阻率可达7.65×10?4?·cm2.