InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系

• 作者: 刘颂豪 李国斌 陈常水
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱宽 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 911-917
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133407.0911

摘要

运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型.分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因；当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因.由本文得出,当量子阱宽为2.5 ～3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极管获得最大内量子效率与发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘颂豪	华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室激光生命科学教育部重点实验室	308	3297	27.0	39.0
2	李国斌	华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室激光生命科学教育部重点实验室	3	10	3.0	3.0
3	陈常水	华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室激光生命科学教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0