PVK空穴传输层对Ndq3近红外发光二极管性能的影响

• 作者: 张晓松 徐建萍 李岚 王丽师 罗程远 葛林 辛传祯 陈义鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 近红外发光二极管 空穴注入层 空穴传输层 8-羟基喹啉钕
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 888-893
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 2768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133407.0888

摘要

以PEDOT∶ PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶ PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶ PSS功能层对器件Ⅰ-Ⅴ特性和EL光谱的影响.结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4 F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2 →4I13/2能级跃迁.与参考器件对比分析认为,PEDOT∶ PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流；PVK与PEDOT∶ PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度.此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一.