Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展

• 作者: 吴熙 周明斌 徐卓 李振荣 李静思 范世马豈
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 体单晶 Na助熔剂法 进展
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 1983-1991
• 页数: 9页
• 分类号: O782
• 字数: 6184字
• 语种: 中文

摘要

以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐卓	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	106	610	13.0	18.0
2	李振荣	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	19	183	6.0	13.0
3	周明斌	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	李静思	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	吴熙	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	范世马豈	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0