Sc掺杂Ca3Si4的电子结构和光学性质

• 作者: 谢泉 高冉
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 物理学
• 关键词: Ca3Si4 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 56-62
• 页数: 7页
• 分类号: O474|O472+.3
• 字数: 3973字
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca3Si4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较.研究结果为块体Ca3Si4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε1(0)=19,折射率n0=4.35；吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm-1.而掺杂Sc变为n型半导体；费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε1(0)=54.58,折射率n0=7.416；吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×105cm-1.通过掺杂有效调制了Ca3Si4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca3Si4光电材料的设计与应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	高冉	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	11	2.0	3.0