中芯国际背照式成像传感技术取得突破

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 传感技术 背照式 成像 国际 CMOS 智能移动终端 传感芯片 产业化阶段
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 46
• 页数: 1页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

中芯国际近期宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展,首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功,在低照度下同样可获得高质量的清晰图像.这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟.步入产业化阶段,更好地满足高端智能移动终端的需要.