钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究

• 作者: 季尚司 左然 苏文佳 韩江山
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 泡生法 蓝宝石 数值模拟 发射率
• 年，卷（期）: 2013,（16）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 143-145,150
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2076字
• 语种: 中文

摘要

泡生法蓝宝石单晶生长过程中,由于生长周期长、温度高,热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变化,从而引起炉内温场的变化.通过计算机数值模拟,研究了钼屏发射率发生变化时,泡生法蓝宝石单晶生长中温场、流场的变化.模拟结果表明:随钼屏发射率增加,消耗功率也不断增加；在放肩阶段熔体等温线向下移动,流场也从2个涡流逐渐变成1个涡流；而在等径阶段和收尾阶段,这些变化都不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	苏文佳	江苏大学能源与动力工程学院	22	212	8.0	14.0
3	季尚司	江苏大学能源与动力工程学院	3	16	2.0	3.0
4	韩江山	江苏大学能源与动力工程学院	4	18	2.0	4.0