GaN核辐射探测器的性能研究

• 作者: 丰树强 姚昌胜 张国光 苏丹 赵潇 陆敏
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: GaN核辐射探测器 能谱 α粒子
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 884-887
• 页数: 4页
• 分类号: TL81
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.05.0884

摘要

GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点.制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241Am α粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30％0.同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进行了能量及探测效率的测量,得到探测器的探测效率最高可达80.1％.最后,应用Keithley 2635静电计对GaN探测器的I-V曲线等进行测试,发现在-15 V偏压下,GaN探测器的本底电流密度小于70 nA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国光	中国原子能科学研究院核技术应用研究所	22	42	4.0	6.0
2	陆敏	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	20	162	8.0	12.0
3	丰树强	中国原子能科学研究院核技术应用研究所	12	12	2.0	3.0
4	赵潇	中国原子能科学研究院核技术应用研究所	11	9	2.0	3.0
5	苏丹	中国原子能科学研究院核技术应用研究所	8	4	1.0	1.0
6	姚昌胜	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	4	12	2.0	3.0