未来电力电子（PE）技术的研发动向

• 作者: 王予山(译) 邓隐北
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带隙半导体SiC GaN功率器件 电力电子技术
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN303

摘要

南于渴望实现能源的高效率利用，能源管理技术已越来越引起人们的关注。尤其是为了达到高效率的发电、输电、配电和用电，电力管理成为关键的研发重点。因电力电子（PE）技术可提供高效电力控制的功能，故PE技术的发展非常重要。在基于硅（Xi）器件的现代PE技术领域，宽带隙（wide．gap）能量的半导体极具发展前景。本文着眼于宽带隙半导体应用的观点，阐述了PE研发中的最新技术动向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓隐北		1	0	0.0	0.0
2	王予山(译)		1	0	0.0	0.0