超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

• 作者: 刘旭焱 崔明月 海涛 王爱华 蒋华龙
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全局应变硅 纳米图形 应变弛豫 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2396-2400
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2903字
• 语种: 中文

摘要

采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋华龙	南阳师范学院物理与电子工程学院	27	65	5.0	6.0
2	海涛	南阳师范学院物理与电子工程学院	18	47	5.0	5.0
3	王爱华	南阳师范学院物理与电子工程学院	35	78	5.0	6.0
4	刘旭焱	南阳师范学院物理与电子工程学院	32	68	5.0	6.0
5	崔明月	南阳师范学院物理与电子工程学院	15	57	5.0	6.0