氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响

• 作者: 李国强 管云芳 高芳亮
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铟 氮化 RF-MBE 单晶薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 59-61,65
• 分类号: O472
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60 min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60 min及120 min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降.分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	管云芳	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	3	3	1.0	1.0
2	高芳亮	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
3	李国强	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	22	104	4.0	9.0