基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片

• 作者: 于宗光 李海鸥 胡南中 黄伟
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: BCD (双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光 自提取结终端 高低侧全桥驱动
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 1858-1862
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.09.31

摘要

本文提出可集成自提取结终端的0.35μm 150V-BCD （双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体）全套新型高压工艺．利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片，并提出了基于双极器件BC （双极集电极）结短路自提取结终端新工艺与新结构，既可满足场致发光高压驱动芯片应用，又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO （P型隔离结构）传统隔离结构，显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度，确保片内集成的低电阻率VDN-MOS/LDPMOS （N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI （微光显微镜）等寄生现象出现．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	中国电子科技集团公司第五十八研究所	140	722	12.0	22.0
2	黄伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	50	4.0	4.0
3	李海鸥	中国电子科技集团公司第五十八研究所	28	36	2.0	5.0
5	胡南中	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	6	1.0	2.0